BAW101V
Document number: DS32178 Rev. 4 - 2
1 of 4
www.diodes.com
September 2010
? Diodes Incorporated
BAW101V
NEW PRODUCT
HIGH VOLTAGE DUAL SWITCHING DIODE
Features
?
Fast Switching Speed: Maximum of 50ns
?
High Reverse Breakdown Voltage: 325V for Single Diode or
650V for Series Connection
?
Two Electrically Isolated Elem
ents in a Single Compact Package
?
Low Leakage Current: Maximum of 50nA when V
R
= 5V or
Maximum of 150nA when VR
= 250V at Room Temperature
?
Thermally Efficient Copper Alloy leadframe for High Power
Dissipation
?
Lead, Halogen and Antimony Free, RoHS Compliant (Note 3)
?
"Green" Device (Note 4)
Mechanical Data
?
Case: SOT-563
?
Case Material: Molded Plastic,
“Green” Molding Compound.
UL Flammability Classification Rating 94V-0
?
Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020
?
Terminals: Finish – Matte Ti
n annealed over Copper leadframe.
Solderable per MIL-STD-202, Method 208
?
Marking Information: See Page 2
?
Ordering Information: See Page 2
?
Weight: 0.006 grams (approximate)
Maximum Ratings
@TA
= 25°C unless otherwise specified
Characteristic Symbol Value Unit
Repetitive Peak Reverse Voltage
Single Diode
VRRM
325
650
V
Series Connection
Working Peak Reverse Voltage
DC Blocking Voltage
Single Diode
VRWM
VR
325
650
V
Series Connection
RMS Reverse Voltage
VR(RMS)
230 V
Forward Current (Note 2)
Single Diode Loaded
IF
250
140
mA
Double Diode Loaded
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current @ t = 1.0μs
IFSM
8.0 A
Repetitive Peak Forward Current @ t = 8.3ms (Note 2)
IFRM
3.0 A
Thermal Characteristics
Characteristic Symbol Value Unit
Power Dissipation (Note 2)
PD
500 mW
Thermal Resistance Junction to Ambient Air (Note 2)
RθJA
250
°C/W
Operating and Storage Temperature Range
TJ, TSTG
-55 to +150
°C
Electrical Characteristics
@TA
= 25°C unless otherwise specified
Characteristic Symbol Min Max Unit Test Condition
Reverse Breakdown Voltage (Note 1)
V(BR)R
300
?
V
IR
= 100
μA
Forward Voltage
VF
?
1.1 V IF
= 100mA
Reverse Current (Note 1)
IR
?
?
?
50
150
50
nA
nA
μA
VR
= 5V
VR
= 250V
VR
= 250V, T
J
= 150
°C
Total Capacitance
CT
?
2.0 pF VR
= 0, f = 1.0MHz
Reverse Recovery Time
trr
?
50 ns IF
= I
R
= 30mA,
Irr = 0.1 x IR, RL
= 100
Ω
Notes: 1. Short duration pulse test used
to minimize self-heating effect.
2. Part mounted on FR-4 board with recommended pad layout, which can be found on our website at http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf.
3. No purposefully added lead. Halogen and Antimony Free.
4. Diodes Inc.'s "Green" policy can be found on our website at http://www.diodes.com/products/lead_free/index.php.
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Device Schematic
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